Tesis Validadas: 2,591

Tesis de Posgrado: 2650

Número de Visitas: contador visitas

Please use this identifier to cite or link to this item: https://rinacional.tecnm.mx/jspui/handle/TecNM/5831
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorVallarin Olascoaga, Antonio de Jesus%702452-
dc.creatorVallarin Olascoaga, Antonio de Jesus%702452-
dc.date.accessioned2023-06-24T00:11:52Z-
dc.date.available2023-06-24T00:11:52Z-
dc.date.issued2018-03-22-
dc.identifier.urihttps://rinacional.tecnm.mx/jspui/handle/TecNM/5831-
dc.descriptionEl presente trabajo muestra el estudio de los modelos de aceleración en las pruebas de vida acelerada, específicamente del modelo de la ley de potencia inversa de Weibull. Este modelo se utilizó para las pruebas de vida acelerada con esfuerzo en corriente aplicadas a los dispositivos IGBT. El objetivo principal de las pruebas de vida acelerada es obtener datos de falla más rápidamente sometiendo a los dispositivos a ambientes de aceleración superiores a los que nominalmente trabaja. Para extrapolar los datos de falla de los dispositivos en condiciones aceleradas, o de estrés, a condiciones nominales de operación se hace uso de los modelos de aceleración, los cuales cuentan con una función de distribución de probabilidad y con ello se puede obtener el factor de aceleración de las pruebas. En el presente trabajo se realizaron pruebas de vida acelerada a dispositivos IGBT con esfuerzo en corriente. Se realizó la construcción de dos circuitos, el primero fue un circuito “chopper” y el segundo es un circuito con carga resistiva. Se realizaron las pruebas en los dos circuitos obteniendo los tiempos de falla de cada uno de los dispositivos. Se analizaron los datos de falla de las pruebas en el circuito con carga resistiva, obteniendo así, los parámetros de la distribución de Weibull y las constantes del modelo de ley de potencia inversa. Debido a lo anterior, se pudo obtener el factor de aceleración entre las pruebas de vida acelerada y las pruebas en condiciones nominales, y de esta manera poder conocer el tiempo en el que el dispositivo puede fallar en condiciones nominales.es_MX
dc.language.isospaes_MX
dc.publisherTecnológico Nacional de Méxicoes_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/7es_MX
dc.titleEstudio de modelos de aceleración en pruebas de vida acelerada para los dispositivos IGBTes_MX
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesises_MX
dc.contributor.directorAguayo Alquicira, Jesus%120956-
dc.contributor.directorCalleja Gjumlich, Jorge Hugo%361-
dc.folio1119es_MX
dc.rights.accessinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_MX
dc.publisher.tecnmCentro Nacional de Investigación y Desarrollo Tecnológicoes_MX
Appears in Collections:Tesis de Maestría en Ingeniería Electrónica

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ME_Antonio_de_Jesus_Vallarin_Olascoaga_2018.pdfTesis3.1 MBAdobe PDFView/Open
ME_Antonio_de_Jesus_Vallarin_Olascoaga_2018_C.pdf
  Restricted Access
Cesión de derechos135.79 kBAdobe PDFView/Open Request a copy


This item is protected by original copyright



This item is licensed under a Creative Commons License Creative Commons