1. Repositorio Institucional del Tecnológico Nacional de México (RI - TecNM)
2. Tesis de Posgrado
3. Querétaro
4. Instituto Tecnológico de Querétaro
5. TESIS DE MAESTRÍA
6. MAESTRÍA EN INGENIERÍA

Title:	NANOMATERIALES SEMICONDUCTORES DE ZnS OBTENIDOS MEDIANTE DEPÓSITO EN BAÑO QUÍMICO PARA EL DISEÑO DE DISPOSITIVOS DE PELÍCULA DELGADA
Authors:	SERRANO ROMERO, MIGUEL
metadata.dc.subject.other:	Sulfuro de zinc, baño químico, películas delgadas, energías limpias
Issue Date:	2022-11-09
Publisher:	Tecnológico Nacional de México
metadata.dc.publisher.tecnm:	Instituto Tecnológico de Querétaro
Description:	Los dispositivos optoelectrónicos, como las celdas solares, son utilizados ampliamente en la industria. No obstante, su fabricación se ha visto afectada por su toxicidad desde la extracción minera, su síntesis, formación de película y, finalmente la síntesis y procesamiento de los materiales que conforman su estructura, hasta la eliminación incorrecta de sus residuos. Es necesario encontrar alternativas para obtener dispositivos optoelectrónicos que reduzcan el daño con el menor impacto ambiental a lo largo de su ciclo de vida. El depósito en baño químico (DBQ, CBD iniciales de sus siglas en inglés) es un procedimiento ampliamente utilizado en la fabricación de materiales semiconductores, como lo es en el depósito de películas delgadas de CdS. ZnS es un material semiconductor con propiedades ópticas y estructurales comparables al CdS, con procesos de síntesis similares, por su reproducibilidad y eficiencia, y menos tóxicos, con potencial de producción de capas de ventanas de células solares de reciente generación con alto potencial para reducir los costos en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos. El objetivo general de esta investigación es sintetizar películas delgadas de ZnS sobre sustrato de vidrio, espesores superiores a 50nm, utilizando la técnica del CBD y caracterizar sus propiedades ópticas, estructurales, morfológicas y eléctricas. Las películas delgadas fueron sintetizadas por CBD utilizando soluciones de crecimiento que consisten en iones Zn+2 , (OH) -1 , un agente complejante y un amortiguador de pH, para el crecimiento de películas delgadas con adsorción, difusión superficial, nucleación y proceso de crecimiento. Luego, midió la eficiencia del intercambio de portadores de carga y su alteración en función del haz de luz incidente. Se obtuvieron baños químicos transparentes en las primeras etapas de la reacción para la obtención de baños químicos transparentes, en las primeras etapas de la reacción, y para la precipitación de ZnS. La composición de los baños fue adecuada en cuanto a las proporciones del agente acompañante (10ml Na3C6H5O7 0.5 M, 2ml KOH 0.5 M, y 10ml Buffer pH 10.0), la fuente de iones de zinc (10ml ZnSO4 0.1 M), la fuente de iones sulfuro (15ml CH4N2S 0.1 M) y el pH (10 – 12, Buffer pH 10.0). Las películas de sulfuro de zinc eran homogéneas, transparentes y fuertemente unidas a su sustrato. La deposición química en baño ha permitido la generación de material optoelectrónico de bajo costo, con pocos recursos de mano de obra ymateriales de laboratorio. Se trabajó en aumentar el espesor de películas delgadas por encima de 50 nm para trabajar y realizar pruebas óptimas en los materiales sintetizados. Para comprobar su eficiencia, se caracterizaron las películas delgadas sintetizadas mediante espectroscopia y perfilometría ultravioleta-visible, difracción de rayos X
metadata.dc.type:	info:eu-repo/semantics/masterThesis
Appears in Collections:	MAESTRÍA EN INGENIERÍA

This item is protected by original copyright View License

This item is licensed under a Creative Commons License