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https://rinacional.tecnm.mx/jspui/handle/TecNM/4944| Title: | DISEÑO Y SIMULACIÓN DE UN PSEUDO-RESISTOR DE PRECISIÓN EN CMOS DE 0.35µm. |
| Authors: | MEZA AGUILAR, JACOB ELEAZAR |
| metadata.dc.subject.other: | CMOS, pseudo resistor, diseño de circuito. |
| Issue Date: | 2022-08-01 |
| Publisher: | Tecnológico Nacional de México |
| metadata.dc.publisher.tecnm: | Instituto Tecnológico de Ciudad Guzmán |
| Description: | En este trabajo, un pseudo-resistor ajustable fue diseñado usando tecnología CMOS de 0.35 µm. Se ha observado que la implementación de señales biomédicas tiene un gran campo de aplicación, uno de estos, es en las señales neuronales donde el rango de frecuencia va desde los 0.05Hz a 10kHz. Para poder trabajar en estos rangos de frecuencias tan pequeños se necesita crear filtros de micropotencia óptimos con resistencias de alto valor. Estas no pueden ser pasivas debido al gran espacio que consumen dentro del circuito integrado, por lo que en la literatura se proponen pseudo-resistencias (PR) basadas en la tecnología CMOS. Estos dispositivos se integran a amplificadores y equipos más complejos para realizar estudios como los Electroencefalogramas (EEG), los Electrocardiogramas (ECG), los Electrogastrogramas (EGG) y las Electromiografías (EMG), así como también se utilizan en equipos de audio analógico, [1]. La propuesta de este trabajo es utilizar desplazadores de nivel libres de efecto de cuerpo que están conectados a las terminales de compuerta (gate) de ambos transistores PMOS. Los cuales se encuentran configurados en serie con el fin de hacer una resistencia de alto valor y que presente una baja Distorsión Armónica Total (THD). La pseudo-resistencia se polariza en la región de subumbral para garantizar que siempre uno de los dos PMOS tenga una alta resistencia en un rango dinámico de -0.2V a 0.2V. Con esto mejoramos la linealidad de las propuestas anteriores. Se simularon dos circuitos la propuesta A y la propuesta B. La primera tiene un mejor rango dinámico de 0.4V, mejor linealidad y un rango de resistencia de 33GΩ a 86kΩ. La segunda tiene mejor rango de resistencia que va desde los 130GΩ a 180kΩ, pero su rango dinámico es de 0.3V, el cual, es menor a la anterior y con menor linealidad, por lo que recomendamos utilizar la propuesta A ya que entrega mejores prestaciones. |
| metadata.dc.type: | info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Appears in Collections: | Tesis de maestría en electronica |
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| M20291050 JACOB ELEAZAR MEZA AGUILAR.pdf | 3.46 MB | Adobe PDF | View/Open |
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