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https://rinacional.tecnm.mx/jspui/handle/TecNM/5831| Title: | Estudio de modelos de aceleración en pruebas de vida acelerada para los dispositivos IGBT |
| Authors: | Vallarin Olascoaga, Antonio de Jesus%702452 |
| Issue Date: | 2018-03-22 |
| Publisher: | Tecnológico Nacional de México |
| metadata.dc.publisher.tecnm: | Centro Nacional de Investigación y Desarrollo Tecnológico |
| Description: | El presente trabajo muestra el estudio de los modelos de aceleración en las pruebas de vida acelerada, específicamente del modelo de la ley de potencia inversa de Weibull. Este modelo se utilizó para las pruebas de vida acelerada con esfuerzo en corriente aplicadas a los dispositivos IGBT. El objetivo principal de las pruebas de vida acelerada es obtener datos de falla más rápidamente sometiendo a los dispositivos a ambientes de aceleración superiores a los que nominalmente trabaja. Para extrapolar los datos de falla de los dispositivos en condiciones aceleradas, o de estrés, a condiciones nominales de operación se hace uso de los modelos de aceleración, los cuales cuentan con una función de distribución de probabilidad y con ello se puede obtener el factor de aceleración de las pruebas. En el presente trabajo se realizaron pruebas de vida acelerada a dispositivos IGBT con esfuerzo en corriente. Se realizó la construcción de dos circuitos, el primero fue un circuito “chopper” y el segundo es un circuito con carga resistiva. Se realizaron las pruebas en los dos circuitos obteniendo los tiempos de falla de cada uno de los dispositivos. Se analizaron los datos de falla de las pruebas en el circuito con carga resistiva, obteniendo así, los parámetros de la distribución de Weibull y las constantes del modelo de ley de potencia inversa. Debido a lo anterior, se pudo obtener el factor de aceleración entre las pruebas de vida acelerada y las pruebas en condiciones nominales, y de esta manera poder conocer el tiempo en el que el dispositivo puede fallar en condiciones nominales. |
| metadata.dc.type: | info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Appears in Collections: | Tesis de Maestría en Ingeniería Electrónica |
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|---|---|---|---|---|
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