1. Repositorio Institucional del Tecnológico Nacional de México (RI - TecNM)
2. Tesis de Posgrado
3. Chihuahua
4. Instituto Tecnológico de Chihuahua
5. Tesis de Maestría
6. Maestría en Ciencias en Ingeniería Electrónica

Título:	ALMACENAMIENTO DE ENERGÍA DE BAJA POTENCIA PROVENIENTE DE LA COSECHA DE ENERGÍA SOLAR
Autor:	OLGUÍN BENCOMO, NAÍM
metadata.dc.subject.other:	ALMACENAMIENTO DE ENERGÍA DE BAJA POTENCIA PROVENIENTE DE LA COSECHA DE ENERGÍA SOLAR
Data:	2026-01-01
Editora:	Tecnológico Nacional de México
metadata.dc.publisher.tecnm:	Instituto Tecnológico de Chihuahua
Descrição:	RESUMEN ALMACENAMIENTO DE ENERGÍA DE BAJA POTENCIA PROVENIENTE DE LA COSECHA DE ENERGÍA SOLAR Dadas las problemáticas ambientales, los sistemas de energías renovables han ido en continuo desarrollo. Un concepto propio del campo de energías renovables es la cosecha de energía, la cual consiste de la conversión y acondicionamiento de energía eléctrica, obtenida a partir de fuentes de energía residual o dispersa en el medio ambiente. Generalmente, esta variante de las técnicas frecuentes de energías renovables es de baja potencia. Sin embargo, los dispositivos aplicados a la cosecha de energía de baja potencia presentan pérdidas relativamente altas, en comparación con aquellos en sistemas de alta potencia, disminuyendo su eficiencia, por lo que se requieren sistemas con dispositivos eficientes, capaces de aprovechar densidades de energía minúsculas, regularmente logrando obtener potencias del orden de los miliwatts. Por ello, en este trabajo de investigación se da a conocer el desarrollo de una topología de conversión cd-cd de alta ganancia cuyo objetivo reside en almacenar energía, proveniente de una celda solar, en un banco de supercapacitores de 10 faradios a 5 volts en total, de la manera más eficiente posible. Para ello, se emplea una celda de multiplicación de tensión, la cual eleva la ganancia del convertidor y genera una conmutación de cero corrientes, a su vez se aplica un diodo activo; un módulo innovador que sustituye un diodo común, por un arreglo de transistores MOSFET-N para disminuir las pérdidas generadas por la caída de tensión de un diodo, logrando caídas hasta de 50 𝑚𝑉 contra los 0.6 𝑉 convencionales.
metadata.dc.type:	info:eu-repo/semantics/masterThesis
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