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https://rinacional.tecnm.mx/jspui/handle/TecNM/5964Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Rodriguez Ojeda, Gabriel%702425 | - |
| dc.creator | Rodriguez Ojeda, Gabriel%702425 | - |
| dc.date.accessioned | 2023-06-30T16:17:41Z | - |
| dc.date.available | 2023-06-30T16:17:41Z | - |
| dc.date.issued | 2018-03-22 | - |
| dc.identifier.uri | https://rinacional.tecnm.mx/jspui/handle/TecNM/5964 | - |
| dc.description | En este trabajo de tesis se presenta un circuito empleado para la detección de fallas a partir de las señales en el Transistor de Efecto de Campo (FET) del tipo MOS (MetalÓxido Semiconductor), mejor conocido como MOSFET. Este circuito está enfocado en el monitoreo de la señal de drenaje-fuente del dispositivo, partiendo del hecho que cuando existe una sobrecorriente en su terminal de drenaje, este voltaje se eleva aun estando en conducción debido al efecto de saturación propio del MOSFET. El circuito tiene la característica de realizar una detección rápida, así como proteger el dispositivo dentro de los tiempos de conmutación. Con el fin de hacerlo reproducible, se utilizaron componentes de bajo costo pero que cuentan con las características que permiten un procesamiento rápido de las señales. Se abordaron los dos tipos de fallas generales, corto circuito y circuito abierto. Y empleando el diagnóstico de fallas en los dispositivos bajo prueba se obtuvieron dos señales indicadoras de fallas 1 y 2. De estas señales se puede obtener la siguiente información: r: Es la señal indicadora de falla para los casos de corto circuito, sin importar si se trata de una falla bajo carga (FUL) o una falla en el transitorio de encendido del dispositivo (HSF). También indica la falla de circuito abierto en las terminales de drenaje, fuente o si el dispositivo se abriera internamente. r: Es la señal indicadora de falla para el caso de circuito abierto en el que la señal de control PWM no está generándose o se interrumpió. | es_MX |
| dc.language.iso | spa | es_MX |
| dc.publisher | Tecnológico Nacional de México | es_MX |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | es_MX |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/7 | es_MX |
| dc.title | Circuito de detección de fallas de corto circuito y circuito abierto en el MOSFET a través del voltaje drenaje fuente | es_MX |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/masterThesis | es_MX |
| dc.contributor.director | Claudio Sanchez, Abraham%62239 | - |
| dc.contributor.director | Aguayo Alquicira, Jesus%120956 | - |
| dc.folio | 1118 | es_MX |
| dc.rights.access | info:eu-repo/semantics/openAccess | es_MX |
| dc.publisher.tecnm | Centro Nacional de Investigación y Desarrollo Tecnológico | es_MX |
| Appears in Collections: | Tesis de Maestría en Ingeniería Electrónica | |
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| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ME_Gabriel_Rodriguez_Ojeda_2018.pdf | Tesis | 6.61 MB | Adobe PDF | View/Open |
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