Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : https://rinacional.tecnm.mx/jspui/handle/TecNM/5964
Titre: Circuito de detección de fallas de corto circuito y circuito abierto en el MOSFET a través del voltaje drenaje fuente
Auteur(s): Rodriguez Ojeda, Gabriel%702425
Date de publication: 2018-03-22
Editeur: Tecnológico Nacional de México
metadata.dc.publisher.tecnm: Centro Nacional de Investigación y Desarrollo Tecnológico
Description: En este trabajo de tesis se presenta un circuito empleado para la detección de fallas a partir de las señales en el Transistor de Efecto de Campo (FET) del tipo MOS (MetalÓxido Semiconductor), mejor conocido como MOSFET. Este circuito está enfocado en el monitoreo de la señal de drenaje-fuente del dispositivo, partiendo del hecho que cuando existe una sobrecorriente en su terminal de drenaje, este voltaje se eleva aun estando en conducción debido al efecto de saturación propio del MOSFET. El circuito tiene la característica de realizar una detección rápida, así como proteger el dispositivo dentro de los tiempos de conmutación. Con el fin de hacerlo reproducible, se utilizaron componentes de bajo costo pero que cuentan con las características que permiten un procesamiento rápido de las señales. Se abordaron los dos tipos de fallas generales, corto circuito y circuito abierto. Y empleando el diagnóstico de fallas en los dispositivos bajo prueba se obtuvieron dos señales indicadoras de fallas 􀀴1 y 􀀴2. De estas señales se puede obtener la siguiente información: r􀀷: Es la señal indicadora de falla para los casos de corto circuito, sin importar si se trata de una falla bajo carga (FUL) o una falla en el transitorio de encendido del dispositivo (HSF). También indica la falla de circuito abierto en las terminales de drenaje, fuente o si el dispositivo se abriera internamente. r􀀿: Es la señal indicadora de falla para el caso de circuito abierto en el que la señal de control PWM no está generándose o se interrumpió.
metadata.dc.type: info:eu-repo/semantics/masterThesis
Collection(s) :Tesis de Maestría en Ingeniería Electrónica

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
ME_Gabriel_Rodriguez_Ojeda_2018.pdfTesis6.61 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir
ME_Gabriel_Rodriguez_Ojeda_2018_c.pdf
  Accès limité
Cesión de derechos137.68 kBAdobe PDFVoir/Ouvrir    Demander une copie


Ce document est protégé par copyright



Ce document est autorisé sous une licence de type Licence Creative Commons Creative Commons