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Título:	ELECTRÓNICA ANALÓGICA PARA ING. BIOMEDICA
Autor:	SOTELO OROZCO, ARTURO#SOOA661105HDFTRR00
Data:	2018-06-08
Editora:	Tecnológico Nacional de México
metadata.dc.publisher.tecnm:	Instituto Tecnológico de Tijuana
Descrição:	En el instante de la formación de una unión PN los portadores se difunden de forma instantánea a través de la unión, creándose una región formada por dos estratos: uno de carga positiva y otro de carga negativa. A la región formada por estos dos estrato se le denomina región de agotamiento, en ésta no hay portadores de carga por lo que actúa como barrera al movimiento de electrones libres a través de la unión. Debido a las cargas en los estratos se produce una diferencia de potencial, a la que se denomina barrera de potencial (V0). Típicamente la barrera de potencial para el Silicio V0=0.7 V; para el Germanio V0=0.3 V. Cuando un diodo de unión se polariza en directo y la caída de tensión en el diodo es de magnitud inferior a la barrera de potencia, la conductividad de la unión es muy baja conduciendo corriente de muy baja intensidad. Si la magnitud de la caída de tensión se va incrementando la corriente aumentará de forma no lineal respecto a la caída de tensión, es decir la conductividad de la unión varia de forma no lineal. Cuando la magnitud de la caída de tensión alcanza y superar el del potencial de la barrera, la conductividad de la unión alcanza su máximo valor (prácticamente constante), entonces la unión conduce corriente que varía de forma "lineal" respecto de la caída de tensión. A la magnitud del potencial en directa que iguala al de la región de agotamiento se le denomina voltaje de rodilla. En la Ilustración 1-1 se muestra la gráfica de caída de tensión aplicada en directa contra magnitud de corriente en un diodo de unión, en ella se aprecia la localización del voltaje de rodilla.
metadata.dc.type:	info:eu-repo/semantics/book
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